檢索結果：共16筆資料 檢索策略： "化學工程系".dept (精準) and ckeyword.raw="碳化矽"
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本研究乃以實驗室組裝之感應耦合電漿(ICP)反應系統來低溫氧化4H碳化矽晶片以製備閘極介電層。實驗上，以連結反應腔體至X射線光電子能譜儀(XPS)測量腔體，達到階段氧化後可不需暴露試片於大氣即可進行…
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本研究使用裝載266nm脈衝雷射之時間解析光致發光光譜(time-resolved photoluminescence, TRPL)分析了在低注入條件下磊晶層厚度小於15μm的4H-SiC磊晶片中少…
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本論文分為兩個部分，第一部分目的在探討使用共濺鍍氣相沉積法製備碳化矽薄膜。不同於高溫(1600℃)化學氣相沉積法製備碳化矽薄膜，本研究之重點在於利用矽合金靶材和碳靶在相對低溫的下以不同射頻電漿製程參…
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在本篇論文中，吾人以帶有不同應力影響之磊晶石墨烯奈米牆(epitaxial grapheme nanowalls, EGNWs)作為電極，並將葡萄糖氧化酶酵素(glucose oxidase)固定於…
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本研究針對碳化矽磊晶層中普遍存在的貫穿差排缺陷對功率元件漏電流的影響進行探討，透過對兩種常見的功率元件-蕭特基二極體(SBD)與金氧半場效電晶體(MOSFET)做為測試對象，以數量級超過數十至百顆的…
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本論文針對碳化矽磊晶層中存在之缺陷進行表徵及生長機制的探討，並透過製作不同尺寸大小之蕭特基二極體，藉由元件電性量測後再對其進行缺陷的反向工程分析，微觀探討元件磊晶層中各種型態缺陷對元件特性之影響，並…
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本論文針對碳化矽的低溫製備，考慮利用具有低共晶點的金屬矽化物合金作為合成碳化矽的矽來源，利用金屬矽化物合金比起原始組成之金屬有熔點急劇下降的特性，期望在較低的溫度下使其與活性碳反應來生成碳化矽鍵…
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本論文針對碳化矽的低溫製備，考慮利用矽化物合金的低融點特性，期望在較低的溫度下使其與活性碳物種反應來生成碳化矽鍵結。 本研究將採用電子束與熱蒸鍍法共蒸鍍石墨與金矽/鋁矽合金，分別於合金共晶溫度(36…
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本論文的主題分為四部分: (1)以SiH4、C2H2和H2為反應物的低壓化學氣相沉積系統探討Si(111)上碳化緩衝層表面的石墨化及其對成長3C-SiC(111)磊晶膜的影響之研究; (2)以SiH…